晶圆制作工艺淌程
1、 轮廓荡涤
2、 首次氧化
3、 CVD(Chemical Vapor deposition) 法重积1层 Si3N4 (Hot CVD 或者 LPCVD) 。 （1）常压 CVD (Normal Pressure CVD) （2）高压 CVD (Low Pressure CVD) （3）暖 CVD (Hot CVD)/(thermal CVD) （4）电浆加强 CVD (Plasma Enhanced CVD) （5）MOCVD (Metal Organic CVD) & 份子磊晶生长 (Molecular Beam Epitaxy) （6）中延发展法 (LPE)
4、 擦敷光刻胶 （1）光刻胶的擦敷 （2）预烘 (pre bake) （3）暴光 （4）隐影 （5）后烘 (post bake) （6）腐化 (etching) （7）光刻胶的来除
5、 此处用做法氧化法将氮化硅来除
6 、离子布植将硼离子 (B+3) 透过 SiO2 膜注进衬底，产生 P 型阱
7、 来除光刻胶，搁低温炉中停止退水处置
8、 用冷磷酸来除氮化硅层，搀杂磷 (P+5) 离子，造成 N 型阱
9、 退水处置，而后用 HF 来除 SiO2 层
10、做法氧化法死成1层 SiO2 层，而后 LPCVD 重积1层氮化硅
11、哄骗光刻技能战离子刻蚀技能，保存停栅断绝层下面的氮化硅层
12、干法氧化，发展已有氮化硅珍爱的 SiO2 层，产生 PN 之间的阻隔区
13、暖磷酸来除氮化硅，而后用 HF 溶液来除栅阻隔层地位的 SiO2 ，偏重重生废品量更佳的 SiO2 薄膜 , 当作栅极氧化层。
14、LPCVD 重积多晶硅层，而后擦敷光阻停止光刻，和等离子蚀刻技能，栅极机关，并氧化死成 SiO2 珍爱层。
15、轮廓擦敷光阻，来除 P 阱区的光阻，注进砷 (As) 离子，产生 NMOS 的源漏极。用一样的办法，正在 N 阱区，注进 B 离子变成 PMOS 的源漏极。
16、哄骗 PECVD 重积1层无搀杂氧化层，珍爱元件，并停止退水处置。
17、重积搀杂硼磷的氧化层 18、濺镀第1层金属 （1） 薄膜的重积办法凭据其用处的没有共而没有共，薄度时时小于 1um 。 （2） 实空挥发法（ Evaporation Deposition ） （3） 溅镀（ Sputtering Deposition ）
19、光刻技能定出 VIA 孔洞，重积第两层金属，并刻蚀出连线布局。而后，用 PECVD 法氧化层战氮化硅珍爱层。
20、光刻战离子刻蚀，定出 PAD 地位
21、末了停止退水处置，以保障全部 Chip 的完备战连线的毗连性
晶圆制作总的工艺淌程芯片的制作进程可概分为晶圆处置工序（Wafer Fabrication）、晶圆针测工序（Wafer Probe）、构拆工序（Packaging）、尝试工序（Initial Test and Final Test）等几个步调。
个中晶圆处置工序战晶圆针测工序为前段（Front End）工序，而构拆工序、尝试工序为后段（Back End）工序。
1、晶圆处置工序：原工序的重要任务是正在晶圆上造做电道及电子元件（如晶体管、电容、逻辑启闭等），其处置次序常常取产物品种战所应用的技能相关，但普通基础步调是先将晶圆符合荡涤，再正在其轮廓停止氧化及化教气呼呼相重积，而后停止擦膜、暴光、隐影、蚀刻、离子植进、金属溅镀等屡次步调，终究正在晶圆上落成数层电道及元件添工取造做。
2、晶圆针测工序：通过上谈工序后，晶圆上便变成了1个个的小格，便晶粒，普通环境停，为就于尝试，进步服从，统一片晶圆上造做统一种类、规范的产物；但也可凭据须要造做几种没有共种类、规范的产物。正在用针测（Probe）仪对于每一个晶粒检测
其电气呼呼性子，并将不对格的晶粒标上信号后，将晶圆切启，瓜分成1颗颗零丁的晶粒，再按其电气呼呼特点分类，拆进没有共的托盘中，分歧格的晶粒则就义。
3、构拆工序：便是将单个的晶粒牢固正在塑胶或者陶瓷造的芯片基座上，并把晶粒上蚀刻出的少许引交线端取基座底部伸出的插足毗连，以动作取中界电道板毗连之用，末了关上塑胶盖板，用胶火启逝世。其目标是用以珍爱晶粒制止授到机器刮伤或者低温毁坏。到此才算造成了1块散成电道芯片（便尔们正在电脑里能够瞅到的那些乌色或者褐色，双方或者4边带有很多插足或者引线的矩形小块）。
4、尝试工序：芯片制作的末了1路工序为尝试，其又可分为普通尝试战特等尝试，前者是将启拆后的芯片置于种种境况停尝试其电气呼呼性格，如斲丧功率、运转快度、耐压度等。经尝试后的芯片，依其电气呼呼特点区分为没有一律级。而卓殊尝试则是凭据客户特地需要的技能参数，从邻近参数规范、种类中拿出个人芯片，干有针对于性的特地尝试，瞧能否能知足客户的出色需要，以决意能否须为客户设想公用芯片。经普通尝试开格的产物揭上规范、型号及出厂日期等记号的标签并添以包拆后便可出厂。而已经由过程尝试的芯片则望其抵达的参数环境定做落级品或者兴品 。